技术特征：
技术总结
本发明公开一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法，所述具有气隙的层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度。所述具有气隙的层间介质层之气隙采用高密度等离子体化学气相沉积方法制备。通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙层间介质层之气隙，所述具有气隙层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度，进而降低了气隙对层间介质层厚度的要求。
技术研发人员：田守卫;王雷;姜国伟;孙洪福
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.11.15
技术公布日：2018.04.20