技术编号:14266879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化鎵基异质结肖特基二极管结构,更具体地说是涉及一种氮化鎵基异质结的高电子迁移率肖特基二极管半导体器件结构。背景技术碳化硅和氮化镓被誉为第三代半导体,它们将为半导体带来技术性的革命。之前,这些宽禁带半导体已被研发了数拾年,一直至2002年左右,英飞凌公司推出600V的肖特基二极管,宣布碳化硅正式开始提供有实用价值的产品。之后,栅控场效应碳化硅晶体管也开始投放市场,从事碳化硅功率器件有关的生产厂家也愈来愈多,就产品技术方面来看,当时期的碳化硅是比氮化镓成熟,然而氮化镓没有停下研发步伐...
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