技术编号：14440959
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置。背景技术刻蚀，是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种重要步骤，其本质是一种图形化处理步骤，具体而言，刻蚀是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，沟槽的刻蚀是刻蚀工艺中极为常见的应用。为了提高半导体器件的集成度，业界已提出了多种双重图形工艺，其中，自对准双重图形(Self-Aligned Double Patterning，SADP)工艺即为其中的一种，自对准...
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