沟槽弯曲度测量方法及装置、缺陷数量预测方法及装置与流程

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置。

背景技术：

刻蚀，是半导体制造工艺、微电子ic制造工艺以及微纳制造工艺中的一种重要步骤，其本质是一种图形化处理步骤，具体而言，刻蚀是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，沟槽的刻蚀是刻蚀工艺中极为常见的应用。为了提高半导体器件的集成度，业界已提出了多种双重图形工艺，其中，自对准双重图形(self-aligneddoublepatterning，sadp)工艺即为其中的一种，自对准双重图形工艺也称为自对准双沟槽刻蚀工艺，图1(a)、图1(b)和图1(c)示出了三维存储器制程中自对准双沟槽刻蚀工艺的关键节点，分别为主轴刻蚀结果的示意图、侧墙沉积结果的示意图和沟槽刻蚀结果的示意图，其中，主轴刻蚀和沟槽刻蚀本质上都是沟槽的刻蚀。

半导体器件对产品结构的加工精度及准确度要求极为严格，加工过程中任何尺寸或结构上的偏差都有可能造成产品的失效或良率的降低，例如，在三维nand存储器的制程中，在自对准双沟槽刻蚀阶段，主轴刻蚀或沟槽刻蚀中任意一个步骤刻蚀得到的沟槽弯曲严重，都有可能使得最终的产品由于线槽互相弯曲导致铜线短路。因此，刻蚀后得到的沟槽的弯曲程度是对刻蚀质量的重要评价标准之一。

现有技术中，对于刻蚀沟槽弯曲程度的度量主要是通过拍摄沟槽的形貌影像后依靠肉眼观测，无法进行定量评价，误差较大、准确性低。

鉴于上述问题，目前迫切需要提供一种量化的沟槽弯曲度测量方法，以准确测量沟槽的弯曲度。

技术实现要素：

针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置，以准确对刻蚀沟槽的弯曲度进行定量测量，进而准确地评判刻蚀质量，以及对缺陷数量进行预测，实现对加工质量的准确预估。

第一方面，本发明提供的一种沟槽弯曲度测量方法，包括：

获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；

根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度；

根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的另一个实施方式中，所述获取待测区域的形貌影像，包括：

采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，得到待测区域的形貌影像。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜，按照由左至右的方式扫描扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；所述根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：

根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：

根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：

其中，wiggling表示待测区域的沟槽弯曲度，ler表示边缘粗糙度，lwr表示线宽粗糙度。

第二方面，本发明提供的一种沟槽弯曲度测量装置，包括：

形貌影像获取模块，用于获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；

粗糙度确定模块，用于根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度；

弯曲度计算模块，用于根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的另一个实施方式中，所述形貌影像获取模块，包括：

形貌影像扫描单元，用于采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，得到待测区域的形貌影像。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述形貌影像扫描单元，包括：

形貌影像扫描子单元，用于采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述形貌影像扫描子单元，包括：

左扫描子单元，用于采用观察型扫描电子显微镜，按照由左至右的方式扫描扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；所述弯曲度计算模块，包括：

弯曲度计算单元，用于根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述弯曲度计算单元，包括：

弯曲度计算子单元，用于根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：

其中，wiggling表示待测区域的沟槽弯曲度，ler表示边缘粗糙度，lwr表示线宽粗糙度。

第三方面，本发明提供的一种缺陷数量预测方法，包括：

在已刻蚀沟槽的待测对象中，选定多个待测区域；

按照本发明提供的所述沟槽弯曲度测量方法，分别测量各所述待测区域的沟槽弯曲度；

根据多个所述待测区域的沟槽弯曲度，预测根据所述待测对象加工得到的半导体器件的缺陷数量。

在本发明提供的另一个实施方式中，所述缺陷数量预测方法，还包括：

判断所述缺陷数量是否大于预设阈值条件；

若大于，则发出表示所述待测对象不适宜继续加工的提示。

第四方面，本发明提供的一种缺陷数量预测装置，包括：

待测区域选择模块，用于在已刻蚀沟槽的待测对象中，选定多个待测区域，其中，所述待测对象包括半导体器件半成品；

弯曲度测量模块，用于按照本发明提供的所述沟槽弯曲度测量方法，分别测量各所述待测区域的沟槽弯曲度；

缺陷数量预测模块，用于根据多个所述待测区域的沟槽弯曲度，预测根据所述待测对象加工得到的半导体器件的缺陷数量。

在本发明提供的另一个实施方式中，所述缺陷数量预测装置，还包括：

缺陷数量判断模块，用于判断所述缺陷数量是否大于预设阈值条件；

提示模块，用于若大于，则发出表示所述待测对象不适宜继续加工的提示。

由上述技术方案可知，本发明第一方面提供的一种沟槽弯曲度测量方法，通过获取待测区域的形貌影像，并根据所述形貌影像确定所述待测区域内沟槽的粗糙度，进而根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，相较于现有技术，利用形貌影像实现了对沟槽弯曲度的自动化定量测量，准确度更高。

本发明第二方面提供的沟槽弯曲度测量装置，与本发明第一方面提供的沟槽弯曲度测量方法出于相同的发明构思，具有相同的有益效果。

本发明第三方面提供的缺陷数量预测方法，通过测量待测对象多个待测区域的沟槽弯曲度，可以实现对缺陷数量的预测，进而实现对后续加工结果的准确预估。

本发明第四方面提供的缺陷数量预测装置，与本发明第三方面提供的缺陷数量预测方法出于相同的发明构思，具有相同的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。

图1(a)示出了本发明实施例提供的一种自对准双重图形工艺中主轴刻蚀结果的示意图；

图1(b)示出了本发明实施例提供的一种自对准双重图形工艺中侧墙沉积结果的示意图；

图1(c)示出了本发明实施例提供的一种自对准双重图形工艺中沟槽刻蚀结果的示意图；

图2示出了本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度测量方法的流程图；

图2示出了本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度测量方法的流程图；

图3示出了本发明实施例提供的一种形貌影像的示意图；

图4示出了本发明实施例提供的一种基准线及测量点设置的示意图；

图5示出了本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度测量结果的示意图；

图6示出了本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度测量装置的示意图；

图7示出了本发明实施例提供的一种缺陷数量预测方法的流程图；

图8示出了本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度与缺陷数量对应关系的示意图；

图9示出了本发明实施例提供的另一种沟槽弯曲度与缺陷数量对应关系的示意图；

图10示出了本发明实施例提供的一种缺陷数量预测装置的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，因此只是作为示例，而不能以此来限制本发明的保护范围。

需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。

本发明实施方式提供一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置，下面结合附图对本发明的实施例进行说明。

请参考图2，其示出了本发明实施例所提供的一种沟槽弯曲度测量方法的流程图。如图2所示，所述沟槽弯曲度测量方法包括以下步骤：

步骤s101：获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽。

其中，所述待测区域是指待测对象上指定的待测量的区域，所述待测对象可以是半导体器件制程中的中间件、半成品或成品，例如，在三维存储器的制程中，可以将自对准双沟槽刻蚀工艺后得到的半成品作为待测对象进行沟槽弯曲度的测量。

所述形貌影像可以通过光学显微镜采集获得，也可以通过扫描电子显微镜(英文简称：sem，英文全称：scanningelectronmicroscope)采集获得，例如，在微米级半导体器件的制作过程中，刻蚀得到的沟槽的宽度等尺寸为微米级，那么可以利用光学显微镜拍摄待测区域的形貌影像；而在三维存储器等纳米级半导体器件的制作过程中，刻蚀得到的沟槽的宽度等尺寸为纳米级，此时光学显微镜已难以精准的反映待测区域的形貌，则可以采用扫描电子显微镜采集待测区域的形貌影像，以获得更为精准形貌影像。相应的，在本发明实施例的一个变更实施方式中，所述获取待测区域的形貌影像，包括：

采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，得到待测区域的形貌影像。

在实际应用中，微距量测扫描式电子显微镜(cd-sem)因其精细的几何测量功能而常被用来对纳米级产品的几何尺寸进行测量，但一方面，sem的功能越多价格越昂贵，微距量测扫描式电子显微镜因其价格昂贵难以普及应用，另一方面，微距量测扫描式电子显微镜主要用于测量线长线宽等几何尺寸，对沟槽的弯曲度缺乏有效地评测手段，因此，在本发明实施例提供的一个变更实施方式中，所述采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域。

观察型扫描电子显微镜如review-sem等，主要用于对半导体制程中产生的缺陷进行观察，采用观察型扫描电子显微镜进行形貌影像的采集，一方面是由于review-sem等观察型sem相较于cd-sem等量测型sem功能较少，成本较低，可以降低本方法的实施成本；另一方面，在半导体制程如三维存储器的生产过程中，review-sem等观察型sem是必不可少的用于观察缺陷的设备，采用观察型扫描电子显微镜进行形貌影像的采集，可以实现对review-sem等观察型sem的复用，实现一机多用，提高其利用率，从而进一步降低生产成本；再一方面，review-sem等观察型sem比cd-sem等量测型sem具有更高的图像质量和更大的视场幅度，视场越大，形貌影像中沟槽的数量就越多，相应的，可设置的测量点就越多，最终测得的弯曲度结果就越准确。

在实际应用中，sem至少提供了多种扫描方式，对应于“主视图”、“左视图”和“右视图”等不同的功能，sem采用不同的扫描方式对待测对象进行扫描，例如，在采用“右视图”时，sem采用由右向左的方式扫描待测对象，在采用“左视图”时，sem采用由左向右的方式扫描待测对象，经实验发现，采用“左视图”采集的形貌影像更能够准确反映待测对象的表面形貌，进而可以更为准确地对沟槽的弯曲度进行测量。因此，在本发明实施例提供的一种变更实施方式中，所述采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜，按照由左至右的方式扫描扫描待测对象的待测区域。

步骤s102：根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度。

由于sem采集的形貌影像为灰度图像，请参考图3，其示出了本发明实施例提供的一种形貌影像的示意图，如图3所示，沟槽在所述形貌影像上表现为一条较宽的线(图中浅色线条表示沟槽)，显然，沟槽的弯曲程度不仅体现在整条线的整体弯曲程度，还体现在线的局部弯曲程度，为了更加全面、准确的测量沟槽弯曲度，以准确反映刻蚀质量，本发明实施例中，首先计算沟槽的粗糙度，然后根据粗糙度确定沟槽弯曲度。

如图3所示，沟槽的粗糙度可以采用线粗糙度来度量，具体的，所述线粗糙度可以包括边缘粗糙度和/或线宽粗糙度，其中，所述边缘粗糙度表征的是一定评定长度上单侧线边缘的微观几何形状的变化量，线宽粗糙度表征的是一定评定长度上双侧线边缘之间(线宽)的微观几何形状的变化量，分别可以采用以下公式计算：

式中，ler表示边缘粗糙度，n表示测量点的个数，δi表示测量点与基准线之间的距离；lwr表示线宽粗糙度，cdi表示某一测量点处的线宽，cd表示线宽的平均值。

其中，所述基准线可以是所述沟槽某一侧边缘的中值线，也可以是与所述沟槽方向平行且与所述沟槽某一侧边缘相切的一条直线，所述测量点可以沿所述基准线设置，如图4所示，其示出了本发明实施例提供的一种基准线及测量点设置的示意图，图中示出了3种基准线的设置方式，并示出了测试点的设置方式，同时一并示出了线宽cdi的测量示意图，本领域技术人员可以根据上述说明及附图，结合实际需求灵活设置基准线及测量点，以计算边缘粗糙度和线宽粗糙度。

需要说明的是，本步骤中，所述待测区域内沟槽的粗糙度，可以是待测区域内某一沟槽的粗糙度，相应的，根据所述粗糙度计算得到的沟槽弯曲度即为该沟槽的弯曲度；所述待测区域内沟槽的粗糙度，也可以是待测区域内多个沟槽整体的粗糙度，相应的，根据所述粗糙度计算得到的沟槽弯曲度反映的是该待测区域整体的沟槽弯曲度。

对于三维存储器的制程而言，在所述待测对象上会刻蚀阵列排布的多条沟槽，该种情况下，统计待测区域多条沟槽整体的沟槽弯曲度更能准确地反映刻蚀质量，因此，在本发明实施例提供的一个变更实施方式中，所述待测区域内沟槽的粗糙度包括待测区域内多个沟槽整体的粗糙度。在该实施方式中，为了获得较为准确的粗糙度及沟槽弯曲度，可以在所述形貌影像中，对应多条沟槽设置多条基准线，并设置较多的测量点进行测量，例如，在本发明实施例所提供的一个具体实施例中，为了获得更为准确的粗糙度及弯曲度测量结果，所述形貌影像中拍摄的沟槽的数量至少为50条，相应的，设置的基准线的数量与所述沟槽的数量相同(一条沟槽对应一条基准线)，每个基准线上至少设置90个测量点。

需要说明的是，在形貌影像中，测量点与基准线之间的距离以及线宽等几何参数是根据像素尺寸换算确定的，为了准确计算上述几何参数，需要事先确定指定放大倍数下，像素尺寸与实物尺寸之间的比例关系，在测量时，在该放大倍数下采集待测对象的形貌影像，通过图像识别算法识别出所述形貌影像中的沟槽，接下来设置基准线和测量点，然后计算该形貌影像中的像素尺寸，之后根据事先确定的比例关系换算成实际尺寸，得到线宽等几何参数。

另外，需要说明的是，本步骤在实施时，可以通过图像识别算法如边界识别算法识别出所述形貌影像中各沟槽的边缘，进而采用上述方式计算沟槽的粗糙度，考虑到所述形貌影像为灰度图，为了提高图像识别成功率，在本发明实施例提供的一个实施方式中，在通过图像识别算法识别出所述形貌影像中沟槽的边缘之前，还包括：对所述形貌影像进行二值化处理，将所述形貌影像转换为黑白图，从而使得沟槽的边缘更加显著，提高边界识别的精准性。其中，对所述形貌影像进行二值化处理，具体可以包括，对所述形貌影像中的各像素点，根据该像素点的灰度值进行二值化处理，比如设定二值化处理阈值为180，若该像素点的灰度值小于180，则将该像素点的灰度值变更为0，将其变为白色，若该像素点的灰度值大于或等于180，则将该像素点的灰度值变更为255，将其变为黑色。

以上，示例性给出了所述粗糙度的计算方式，现有技术中还有多种用来计算线粗糙度的方法，其同样可适用于本发明，在此不再一一赘述，其均在本发明的保护范围之内。

在本发明实施例提供的一个变更实施方式中，采用图像量测软件自动测量所述形貌影像中沟槽的粗糙度，通过采集符合预设条件的形貌影像，将该形貌影像输入该图像量测软件，即可自动计算出所述待测区域中沟槽的粗糙度。其中，所述形貌影像的预设条件包括：视场大小为4微米，像素分辨率为720*720，格式为tiff，影像上无任何文字或其他标识。

步骤s103：根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

为了准确计算所述待测区域的沟槽弯曲度，在本发明实施例提供的一个变更实施方式中，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；所述根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：

根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度时，不同的计算方法会得到不同准确性的计算结果，经发明人大量实验、反复尝试，结合刻蚀质量确定了一种较为准确的确定所述沟槽弯曲度的计算方法，具体的，所述根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：

根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：

其中，wiggling表示待测区域的沟槽弯曲度，ler表示边缘粗糙度，lwr表示线宽粗糙度。

根据上述公式，可以计算得到能够准确反映刻蚀质量的沟槽弯曲度。请参考图5，其示出了本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度测量结果的示意图，图5中，由上至下分别示出了沟槽弯曲度为6.49、5.40、4.02和3.09对应的形貌影像，肉眼可分辨地，该4幅形貌影像由上至下沟槽弯曲程度越来越好，这与本方法计算得到的沟槽弯曲度结果是一致的，可见，采用本方法计算得到的沟槽弯曲度能够精确地反映出刻蚀后沟槽的实际形貌。

需要说明的是，本发明实施例提供的沟槽弯曲度测量方法可以应用于半导体器件制程中任意刻蚀工艺步骤之后，以对刻蚀质量进行检测，例如，对于自对准双沟槽刻蚀工艺，本发明可以应用于主轴刻蚀节点之后，也可以用于沟槽刻蚀节点之后，还可以在上述两个节点中都应用，应用的节点越早，越能尽早地发现刻蚀质量异常，以及时纠正错误，避免错误累计导致最终产品的不良。

本发明实施例提供的沟槽弯曲度测量方法，通过获取待测区域的形貌影像，并根据所述形貌影像确定所述待测区域内沟槽的粗糙度，进而根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，相较于现有技术，利用形貌影像实现了对沟槽弯曲度的自动化定量测量，准确度更高。进一步的，通过计算沟槽的粗糙度，并以粗糙度为计算依据计算沟槽弯曲度，可以使得计算得到的沟槽弯曲度更为准确地反映刻蚀质量，实用意义更高。

在上述的实施例中，提供了一种沟槽弯曲度测量方法，与之相对应的，本发明还提供一种沟槽弯曲度测量装置。请参考图6，其为本发明实施方式所提供的一种沟槽弯曲度测量装置的示意图。由于装置实施例基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。下述描述的装置实施例仅仅是示意性的。

如图6所示，本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度测量装置1，包括：

形貌影像获取模块11，用于获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；

粗糙度确定模块12，用于根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度；

弯曲度计算模块13，用于根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的另一个实施方式中，所述形貌影像获取模块11，包括：

形貌影像扫描单元，用于采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，得到待测区域的形貌影像。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述形貌影像扫描单元，包括：

形貌影像扫描子单元，用于采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述形貌影像扫描子单元，包括：

左扫描子单元，用于采用观察型扫描电子显微镜，按照由左至右的方式扫描扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；所述弯曲度计算模块13，包括：

弯曲度计算单元，用于根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述弯曲度计算单元，包括：

弯曲度计算子单元，用于根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：

其中，wiggling表示待测区域的沟槽弯曲度，ler表示边缘粗糙度，lwr表示线宽粗糙度。

本发明实施例提供的沟槽弯曲度测量装置，与本发明前述实施例提供的沟槽弯曲度测量方法出于相同的发明构思，具有相同的有益效果。

在前述实施例中，提供了一种沟槽弯曲度测量方法及装置，在此基础上，本发明还提供一种缺陷数量预测方法及装置。由于所述缺陷数量预测方法是在沟槽弯曲度测量方法的基础上实现的，因此相关内容可以参考前述实施例的说明进行理解，部分内容不再重复赘述，在以下实施例中仅作简要说明。

请参考图7，其示出了本发明实施例提供的一种缺陷数量预测方法的流程图，所述缺陷数量预测方法包括以下步骤：

步骤s201：在已刻蚀沟槽的待测对象中，选定多个待测区域。

步骤s202：按照本发明提供的所述沟槽弯曲度测量方法，分别测量各所述待测区域的沟槽弯曲度。

步骤s203：根据多个所述待测区域的沟槽弯曲度，预测根据所述待测对象加工得到的半导体器件的缺陷数量。

为了便于理解，请参考图8和图9，其分别示出了本发明实施例提供的一种沟槽弯曲度与缺陷数量对应关系的示意图，图8中上图表示待测对象上多个待测区域沟槽弯曲度的分布图，下图表示待测对象经后续加工后缺陷的分布图，图9中上图表示待测对象上多个待测区域沟槽弯曲度的分布图，下图表示待测对象经后续加工后缺陷的分布图，如图8和图9，图8中多个待测区域的沟槽弯曲度的均值、和值或极值等统计数据均大于图9对应的统计数据，相应的，图8所示的待测对象继续加工后得到的半导体器件的缺陷数量也比图9所示的缺陷数量多(图8中缺陷数量为6573个,图9中缺陷数量为145个)，显然，沟槽弯曲度与缺陷数量有较高的关联性(大部分的缺陷为沟槽弯曲度过高时引起的线合并现象导致的)，通过统计大量的历史测量数据，可以确定所述沟槽弯曲度的统计数据(如均值、和值、极值、标准差、均方差等)与缺陷数量的对应关系(如拟合关系)，这样，在生产过程中，在测量了待测对象的沟槽弯曲度后，即可根据上述对应关系预测出所述待测对象加工得到的半导体器件的缺陷数量，实现对加工质量的预测，如果预测的缺陷数量较少，则可以继续加工，如果预测的缺陷数量较多，则可以判断该待测对象没有继续加工的必要，可以终止加工，从而避免继续加工产生不良品造成的成本和效率上的损失，整体上提高生产效率、降低生产成本。

在本发明实施例提供的一个变更实施方式中，所述缺陷数量预测方法，还包括：

判断所述缺陷数量是否大于预设阈值条件；

若大于，则发出表示所述待测对象不适宜继续加工的提示。

本发明实施例提供的缺陷数量预测方法，通过测量待测对象多个待测区域的沟槽弯曲度，可以实现对缺陷数量的预测，进而实现对后续加工结果的准确预估，在预测到缺陷数量较多时，可以终止加工，从而可以避免继续加工产生不良品造成的成本和效率上的损失，整体上提高生产效率、降低生产成本。

在上述的实施例中，提供了一种缺陷数量预测方法，与之相对应的，本发明还提供一种缺陷数量预测装置。请参考图10，其为本发明实施方式所提供的一种缺陷数量预测装置的示意图。由于装置实施例基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。下述描述的装置实施例仅仅是示意性的。

如图10所示，本发明实施例提供的一种缺陷数量预测装置2，包括：

待测区域选择模块21，用于在已刻蚀沟槽的待测对象中，选定多个待测区域，其中，所述待测对象包括半导体器件半成品；

弯曲度测量模块22，用于按照本发明提供的所述沟槽弯曲度测量方法，分别测量各所述待测区域的沟槽弯曲度；

缺陷数量预测模块23，用于根据多个所述待测区域的沟槽弯曲度，预测根据所述待测对象加工得到的半导体器件的缺陷数量。

在本发明提供的另一个实施方式中，所述缺陷数量预测装置2，还包括：

缺陷数量判断模块，用于判断所述缺陷数量是否大于预设阈值条件；

提示模块，用于若大于，则发出表示所述待测对象不适宜继续加工的提示。

本发明实施例提供的缺陷数量预测装置，与本发明前述实施例提供的缺陷数量预测方法出于相同的发明构思，具有相同的有益效果。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“一个变更实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

需要说明的是，附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。