技术编号:14446484
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术领域,特别地,涉及一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。【背景技术】目前,半导体功率器件已经越来越广泛的使用。举例来说,沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS),其漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小,是一种用途非常广泛的功率器件。超结MOSFET则是利用复合缓冲层里面交替的N柱和P柱进行电荷补偿,使P区和N区相互耗尽,形成理想的平顶电场分布和均匀的电势分布,从而达到提高击穿...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。