技术编号:14476116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路的静电放电保护领域,涉及一种ESD保护方案,具体涉及一种多开态MOS辅助触发SCR的高压ESD保护方案,可用于提高片上高压IC的ESD保护可靠性。背景技术随着集成电路(IC)的广泛应用及集成制造工艺特征尺寸的日益减小,IC产品的工作电压逐渐降低,IC对静电放电(ESD)的敏感度也在逐渐增加。因ESD导致IC产品失效的比例在持续上升,已造成巨大的国民经济损失。在当前集成技术快速发展的趋势下,研究与设计可满足不断发展变化的片上IC ESD保护需求的ESD保护方案十分重要。目前,针对...
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