技术编号:14476168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺技术领域,特别地,涉及一种结型场效应晶体管及其制作方法。【背景技术】结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,JFET)是由p-n结栅极(G)与源极(S)和漏极(D)构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。对于结型场效应晶体管,按照工作原理来划分,JFET主要可分为增强型和耗尽型两种类型的JFET器件,但最常见到的是耗尽型JFET(D-JFET),即在0栅偏压时就存在有沟...
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