结型场效应晶体管及其制作方法与流程

【技术领域】

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种结型场效应晶体管及其制作方法。

背景技术：

结型场效应晶体管(junctionfield-effecttransistor，jfet)是由p-n结栅极(g)与源极(s)和漏极(d)构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。

对于结型场效应晶体管，按照工作原理来划分，jfet主要可分为增强型和耗尽型两种类型的jfet器件，但最常见到的是耗尽型jfet(d-jfet)，即在0栅偏压时就存在有沟道的jfet。

jfet导电的沟道在体内。耗尽型和增强型这两种晶体管在工艺和结构上的差别主要在于其沟道区的掺杂浓度和厚度。耗尽型jfet的沟道的掺杂浓度较高、厚度较大，以致于栅pn结的内建电压不能把沟道完全耗尽；而增强型jfet的沟道的掺杂浓度较低、厚度较小，则栅pn结的内建电压即可把沟道完全耗尽。

对于耗尽型的jfet，在平衡时(不加电压)时，沟道电阻最小；电压vds和vgs都可改变栅p-n结势垒的宽度，并因此改变沟道的长度和厚度(栅极电压使沟道厚度均匀变化，源漏电压使沟道厚度不均匀变化)，使沟道电阻变化，从而导致ids变化，以实现对输入信号的放大。

jfet主要有两个应用领域，一个是作为恒流源或者压控可变电阻，通常用在集成电路当中。而另外一个领域，它主要用来做信号的放大，如用于音频信号放大的jfet。其中，音频放大用的jfet的一个很重要的特征就是其放大能力，很小的栅压变化即可带来源漏电流的大幅变化。这种结构的jfet，其导电沟道极为狭窄，其典型的制作工艺流程依次为：p型硅衬底上进行n型光刻注入，n型炉管推进形成n型阱区、进行p型栅极区域的光刻注入，p型栅极区域的炉管推进。n型源漏区域光刻注入，p型高掺杂区光刻注入，介质层生长，接触孔光刻刻蚀，金属层淀积，金属层光刻刻蚀，背面减薄，背面金属化，完成器件制作。

然而，在上述制作流程中，下面的步骤对器件性能的影响最大：

在p型硅衬底上光刻注入形成n型阱区，炉管高温推进，推进完成后，n型阱区结深大约在2-5um左右。在n型阱区内注入p型杂质形成p型栅极区域，炉管高温推进，因为p型杂质浓度高于n型阱区杂质浓度，在推进过程中，p型栅极区域推进速度快于n型阱区。

推进完后，n型阱区结深大概在3-6um，而p型栅极区域结深大约在2.5-5.5um，中间仅仅留下0.5um左右的导电沟道。这个导电沟道的宽度直接决定了这个jfet器件的饱和电流(gate电压为0v时)和夹断电压vp。

沟道的有效宽度受多个因素决定：

1.p型衬底掺杂浓度影响n型阱区的结深；

2.n型阱区的注入剂量波动、n型阱区的推进温度波动影响n型阱区的结深；

3.p型栅极区域的注入剂量波动影响p型栅极区域结深；

4.p型栅极区域推进温度波动同时影响型阱区及p型栅极区域结深。

上述4个因素，任何一个因素波动都将带来导电沟道的厚度的变化。而导电沟道浓度分布不均，其厚度每变化20％，其饱和电流可能改变50％，这对于此类器件来说是致命的。由于上述原因，传统工艺制作出来的此类jfet器件的参数稳定性一直不够理想。

技术实现要素：

本发明提出了一种新型的结型场效应晶体管及其制作方法，在不增加器件制造成本的前提下可有效提升其器件参数稳定性。

一种结型场效应晶体管的制作方法包括以下步骤：

提供p型硅衬底，在所述p型硅衬底上形成p型外延层，在所述p型外延层上形成n型外延层；

提供第一光刻板，所述第一光刻板包括对应栅极的矩形环图案及位于所述矩形环图案中的多条沿所述矩形环的长度方向延伸的条状图案，所述多条条型图案之间具有间隔区域；

利用所述第一光刻板对所述n型外延层进行多次第一离子注入，使得所述第一离子对应所述第一光刻板的矩形环图案及条状图案注入所述n型外延层并且延伸至所述p型外延层表面；

提供第二光刻板，所述第二光刻板包括矩形图案，所述矩形图案的长度方向垂直于所述多个条形图案且覆盖所述多个条形图案及相邻条形图案之间的间隔区域的中央部分；

利用所述第二光刻板对所述n型外延层表面进行第二离子注入，使得所述第二离子对应所述矩形图案注入所述n型外延层表面，所述第一离子与所述第二离子相同；

对注入的所述第一及第二离子进行高温推进，使得所述第一及第二离子在所述n型外延层均匀分布，从而在所述n型外延层中形成p型栅极区域，所述p型栅极区域包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分对应所述矩形环图案且贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第二部分位于第一部分的环形之中、对应所述多个条状区域、贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第三部分对应所述矩形图案、位于所述n型外延层表面及所述第二部分表面、且连接于所述第一部分的矩形环的长边之间；

在所述n型外延层及所述p型栅极区域表面形成介质层，在所述介质层形成贯穿的第一通孔与第二通孔，所述第一通孔对应所述条形区域及矩形区域的第一侧与所述矩形环区域之间的n型外延层，所述第二通孔对应所述条形区域与矩形区域的第二侧与所述矩形环区域之间的n型外延层，利用所述第一通孔及第二通孔进行n型注入及退火激活，从而在所述n型外延层表面形成第一及第二n型区域；

在所述介质层上形成第一金属部及第二金属部以及在所述p型衬底远离所述p型外延层的表面形成背面金属，所述第一金属部通过所述第一通孔连接所述第一n型区域，所述第二金属部通过所述第二通孔连接所述第二n型区域。

在一种实施方式中，所述p型外延层的电阻率在3ohm.cm至20ohm.cm之间的范围内，所述p型外延层的厚度在2um至10um的范围内，所述n型外延层的电阻率在3ohm.cm至20ohm.cm之间的范围内，所述n型外延层的厚度在2um至10um的范围内。

在一种实施方式中，所多次第一离子注入的注入离子包括硼，单次注入能量在30kev至100kev的范围内，单次注入剂量在每平方厘米1的14次方至1的15次方至之间的范围内。

在一种实施方式中，所述第二离子注入的注入离子包括硼，注入能量在30kev至100kev的范围内，注入剂量在每平方厘米1的14次方至1的15次方至之间的范围内。

在一种实施方式中，对注入的所述第一及第二离子进行高温推进的步骤中，推进温度在1000摄氏度至1200摄氏度的范围内，推进时间在30分钟到360分钟的范围内。

在一种实施方式中，所述介质层采用lpcvd的方式形成，通过光刻及刻蚀在所述介质层形成贯穿的所述第一通孔与所述第二通孔。

在一种实施方式中，所述n型注入的注入离子包括p，注入剂量在每平方厘米1的14次方至1的15次方至之间的范围内；所述退火的温度在800摄氏度到1100摄氏度的范围内，所述退火的时间在20分钟至60分钟的范围内。

在一种实施方式中，所述第一金属部与第二金属部在同一道光刻刻蚀步骤中形成，所述第一金属部的宽度比所述第一n型区域的宽度大0.5微米以上，所述第二金属部的宽度比所述第二n型区域的宽度大0.5微米以上。

在一种实施方式中，在形成所述第一金属部及第二金属部后以及形成所述背面金属之前，所述制作方法还包括进行退火烧结以及对所述p型衬底进行背面减薄的步骤。

一种结型场效应晶体管，其包括p型衬底、形成于所述p型衬底上的p型外延层、形成于所述p型外延层上的n型外延层、形成于所述n型外延层中的p型栅极区域、形成于所述n型外延层表面的第一及第二n型区域、介质层、贯穿介质层且对应所述第一n型区域的第一通孔与对应所述第二n型区域的第二通孔、通过所述第一通孔连接所述第一n型区域的第一金属部、通过所述第二通孔连接所述第二n型区域的第二金属部及位于所述p型衬底远离所述p型外延层表面的背面金属，所述p型栅极区域包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分的平面形状为矩形环图案，所述第一部分还贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第二部分的平面形状为位于第一部分的环形之中且沿所述矩形环的长度方向延伸的多个条状图案，所述第二部分还贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第三部分的平面形状为矩形图案，所述第三部分位于所述n型外延层表面及所述第二部分表面，所述矩形图案连接于所述第一部分的矩形环的两个长边之间且覆盖所述第二部分的中央区域及其所述第二部分的多个条形图案之间的n型外延层。

本发明相比较传统工艺的优点如下：第一，采用的光刻板数量较少，可以相比较传统工艺具有更低的制作成本；第二，传统器件采用p型栅极区域向下挤压n型阱区，n型阱区推进完成后，再进行p型栅极区域的推进，影响导电沟道的因素极多，工艺控制极难，器件参数均匀性极差，然而，本发明采在多次注入全部完成以后，一次在n型外延层里对p型杂质进行推进，影响器件的因素少，工艺控制更简单，器件参数均匀性更好；第三，传统工艺导电沟道由p型栅极区域在n型阱区中向下夹挤而成，沟道中n型杂质的浓度分布均匀性较差，器件性能更差，而本发明中的jfet导电沟道由表面的第三部分，两侧的第一部分，底部的p型外延层四个方向扩散后制成，相比较传统结构的jfet，n型外延层中杂质浓度分布更均匀，器件性能更好。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明结型场效应晶体管的制作方法的流程图。

图2至图9为图1所示结型场效应晶体管的制作方法的各步骤的结构示意图。

【具体实施方式】

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1至图9，图1为本发明结型场效应晶体管的制作方法的流程图，图2至图9为图1所示结型场效应晶体管的制作方法的各步骤的结构示意图。所述结型场效应晶体管的制作方法包括以下步骤。

步骤s1，请参阅图2，提供p型硅衬底，在所述p型硅衬底上形成p型外延层，在所述p型外延层上形成n型外延层。所述p型外延层的电阻率在3ohm.cm至20ohm.cm之间的范围内，所述p型外延层的厚度在2um至10um的范围内，所述n型外延层的电阻率在3ohm.cm至20ohm.cm之间的范围内，所述n型外延层的厚度在2um至10um的范围内。

步骤s2，请参阅图3，提供第一光刻板，将所述第一光刻板设置于所述n型外延层上方，所述第一光刻板包括对应栅极的矩形环图案及位于所述矩形环图案中的多条沿所述矩形环的长度方向延伸的条状图案，所述多条条型图案之间具有间隔区域。

步骤s3，请参阅图4，利用所述第一光刻板对所述n型外延层进行多次第一离子注入，使得所述第一离子对应所述第一光刻板的矩形环图案及条状图案注入所述n型外延层并且延伸至所述p型外延层表面。其中，图4(a)、(b)及(c)分别是沿着三个对应所述第一光刻板的不同位置的剖面示意图。所多次第一离子注入的注入离子包括硼，单次注入能量在30kev至100kev的范围内，单次注入剂量在每平方厘米1的14次方至1的15次方至之间的范围内。

步骤s4，请参阅图5，提供第二光刻板，将所述第一光刻板设置于所述n型外延层上方，所述第二光刻板包括矩形图案，所述矩形图案的长度方向垂直于所述多个条形图案且覆盖所述多个条形图案及相邻条形图案之间的间隔区域的中央部分。可以理解，图4还示意出所述第一光刻板，以便体现所述第一光刻板与第二光刻板相对于所述n型外延层的位置对应关系。

步骤s5，请参阅图6，利用所述第二光刻板对所述n型外延层表面进行第二离子注入，使得所述第二离子对应所述矩形图案注入所述n型外延层表面，所述第一离子与所述第二离子相同。其中，图6(a)、(b)及(c)分别是沿着三个对应所述第二光刻板的不同位置的剖面示意图。可以理解，图6还示意出所述第一光刻板，以便体现所述第一光刻板与第二光刻板相对于所述n型外延层的位置对应关系。所述第二离子注入的注入离子包括硼，注入能量在30kev至100kev的范围内，注入剂量在每平方厘米1的14次方至1的15次方至之间的范围内。

步骤s6，请参阅图7，对注入的所述第一及第二离子进行高温推进，使得所述第一及第二离子在所述n型外延层均匀分布，从而在所述n型外延层中形成p型栅极区域，所述p型栅极区域包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分对应所述矩形环图案且贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第二部分位于第一部分的环形之中、对应所述多个条状区域、贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第三部分对应所述矩形图案、位于所述n型外延层表面及所述第二部分表面、且连接于所述第一部分的矩形环的长边之间。其中，图7(a)、(b)及(c)分别是沿着三个对应所述第二光刻板的不同位置的剖面示意图。对注入的所述第一及第二离子进行高温推进的步骤中，推进温度在1000摄氏度至1200摄氏度的范围内，推进时间在30分钟到360分钟的范围内。

步骤s7，请参阅图8，在所述n型外延层及所述p型栅极区域表面形成介质层，在所述介质层形成贯穿的第一通孔与第二通孔，所述第一通孔对应所述条形区域及矩形区域的第一侧与所述矩形环区域之间的n型外延层，所述第二通孔对应所述条形区域与矩形区域的第二侧与所述矩形环区域之间的n型外延层，利用所述第一通孔及第二通孔进行n型注入及退火激活，从而在所述n型外延层表面形成第一及第二n型区域。其中，图8(a)、(b)及(c)分别是沿着三个不同位置的剖面示意图。其中，所述介质层采用lpcvd的方式形成，通过光刻及刻蚀在所述介质层形成贯穿的所述第一通孔与所述第二通孔。所述n型注入的注入离子包括p，注入剂量在每平方厘米1的14次方至1的15次方至之间的范围内；所述退火的温度在800摄氏度到1100摄氏度的范围内，所述退火的时间在20分钟至60分钟的范围内。

步骤s8，请参阅图9，在所述介质层上形成第一金属部及第二金属部以及在所述p型衬底远离所述p型外延层的表面形成背面金属，所述第一金属部通过所述第一通孔连接所述第一n型区域，所述第二金属部通过所述第二通孔连接所述第二n型区域。其中，图9(a)、(b)及(c)分别是沿着三个不同位置的剖面示意图。所述第一金属部与第二金属部在同一道光刻刻蚀步骤中形成，所述第一金属部的宽度比所述第一n型区域的宽度大0.5微米以上，所述第二金属部的宽度比所述第二n型区域的宽度大0.5微米以上。进一步地，在形成所述第一金属部及第二金属部后以及形成所述背面金属之前，所述制作方法还包括进行退火烧结以及对所述p型衬底进行背面减薄的步骤。

进一步地，如图9所示，所述制作方法获得的结型场效应晶体管包括p型衬底、形成于所述p型衬底上的p型外延层、形成于所述p型外延层上的n型外延层、形成于所述n型外延层中的p型栅极区域、形成于所述n型外延层表面的第一及第二n型区域、介质层、贯穿介质层且对应所述第一n型区域的第一通孔与对应所述第二n型区域的第二通孔、通过所述第一通孔连接所述第一n型区域的第一金属部、通过所述第二通孔连接所述第二n型区域的第二金属部及位于所述p型衬底远离所述p型外延层表面的背面金属，所述p型栅极区域包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分的平面形状为矩形环图案，所述第一部分还贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第二部分的平面形状为位于第一部分的环形之中且沿所述矩形环的长度方向延伸的多个条状图案，所述第二部分还贯穿所述n型外延层并延伸至所述p型外延层表面，所述第三部分的平面形状为矩形图案，所述第三部分位于所述n型外延层表面及所述第二部分表面，所述矩形图案连接于所述第一部分的矩形环的两个长边之间且覆盖所述第二部分的中央区域及其所述第二部分的多个条形图案之间的n型外延层。

本发明相比较传统工艺的优点如下：第一，采用的光刻板数量较少，可以相比较传统工艺具有更低的制作成本；第二，传统器件采用p型栅极区域向下挤压n型阱区，n型阱区推进完成后，再进行p型栅极区域的推进，影响导电沟道的因素极多，工艺控制极难，器件参数均匀性极差，然而，本发明采在多次注入全部完成以后，一次在n型外延层里对p型杂质进行推进，影响器件的因素少，工艺控制更简单，器件参数均匀性更好；第三，传统工艺导电沟道由p型栅极区域在n型阱区中向下夹挤而成，沟道中n型杂质的浓度分布均匀性较差，器件性能更差，而本发明中的jfet导电沟道由表面的第三部分，两侧的第一部分，底部的p型外延层四个方向扩散后制成，相比较传统结构的jfet，n型外延层中杂质浓度分布更均匀，器件性能更好。

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。