预防短路的场效应晶体管结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种预防短路的场效应晶体管(FET)结构，运用于如金属氧化物半导体场效晶体管(M0SFET)或绝缘栅双极晶体管(IGBT)等晶体管型态的晶体管结构上，主要利用在金属连通片与源极区域相接合的那面刷上银线条，令锡膏不渗入栅极通道(GATE BUS)，以达到预防短路情况发生为其主要实用新型优点。
【背景技术】
[0002]传统场效应晶体管，其芯片上设有栅极区域及源极区域，该栅极区域利用金属线可与栅极区域相连结，源极区域亦利用多个金属线可与周缘的晶体管引脚形成电性连接，然而这种用金属线进行电信传导的结构，不仅工艺繁复耗时，在封装过程中往往容易因为冲压而造成金属线的断裂或脱离，造成电讯导通性不佳，甚至在封装后会有散热不易而造成损坏率增尚等缺失；
[0003]为解决上述困扰，有业者便研发出利用片状式的金属连通片5，以一端整片式地覆盖于源极区域1上，另一端连通于晶体管引脚连接的方式替代以金属线连通的方式，如图1及图2所示，用此方式以提高其电讯连通稳定性、封装工艺简易、低电阻电气特性及提高其散热性，然而，在源极区域1上会切开有栅极通道2用以连通栅极区域的电性，而要将金属连接片5固定于源极区域1上并进行电讯导通时，源极区域1的表面须先涂布有锡膏4，再将金属连通片5覆盖于源极区域1上并施压予以固定，但此一施压动作将会使锡膏4溢开并渗入栅极通道2中，如此一来便会使栅极区域3与源极区域1不断地形成电讯导通而产生短路现象，形成业者所衍伸出的新困扰；
【实用新型内容】
[0004]而为了有效解决以上问题，本实用新型的目的在于提供一种具有避免锡膏溢开渗入栅极通道而造成短路现象的晶体管结构。
[0005]为达上述目的，本实用新型提供一种预防短路的场效应晶体管结构，其包括有:
[0006]—集成电路片，其上分设有源极区域与栅极区域，且在该源极区域上分切有栅极通道，以导通栅极区域的电讯流通；
[0007]—金属连通片，一端与集成电路片的源极区域相连通，另一端与晶体管引脚相连通；
[0008]多个沟槽，挖设于金属连通片上对应该金属连通片与源极区域接合的面，且于该沟槽的表面设有一层银金属；
[0009]锡膏，点置于集成电路片的源极区域欲与金属连通片相贴合的区域内。
[0010]上述的预防短路的场效应晶体管结构，其中该沟槽的形状与大小的挖设，避开源极区域上的栅极通道所经过的区域。
[0011]上述的预防短路的场效应晶体管结构，其中该沟槽内的银金属，以涂布的方式形成，或以焊设的方式形成。
[0012]为达上述目的，本实用新型还提供一种预防短路的场效应晶体管结构，其包括有:
[0013]—集成电路片，其上分设有源极区域与栅极区域，且在该源极区域上分切有栅极通道，以导通栅极区域的电讯流通；
[0014]—金属连通片，一端与集成电路片的源极区域相连通，另一端与晶体管引脚相连通；
[0015]多个银金属，设于该金属连通片与源极区域接合的面；
[0016]锡膏，点置于集成电路片的源极区域欲与金属连通片相贴合的区域内。
[0017]上述的预防短路的场效应晶体管结构，其中该银金属的形状与大小的形成，避开源极区域上的栅极通道所经过的区域。
[0018]上述的预防短路的场效应晶体管结构，其中该银金属的形成，以涂布的方式形成，或以焊设的方式形成。
[0019]本实用新型系为一种预防短路的场效应晶体管(FET)结构，运用于如金属氧化物半导体场效晶体管(M0SFET)或绝缘栅双极晶体管(IGBT)等晶体管型态的晶体管结构上，主要利用在金属连通片与源极区域相接合的那面刷上银线条，令锡膏不渗入栅极通道(GATE BUS)，以达到预防短路情况发生为其主要实用新型目的。
[0020]以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。
【附图说明】
[0021]图1:为现有场效应晶体管的晶体管点上锡膏的平面俯视示意图；
[0022]图2:为另一习用场效应晶体管的晶体管在覆盖金属连通片后，锡膏溢开状况的平面俯视示意图；
[0023]图3:为本实用新型预防短路的场效应晶体管(FET)结构的另一实施例金属连通片俯视结构示意图；
[0024]图4:为本实用新型预防短路的场效应晶体管(FET)结构的金属连通片俯视结构示意图；
[0025]图5:为本实用新型预防短路的场效应晶体管(FET)结构的晶体管在覆盖金属连通片后的俯视透视示意图。
[0026]其中，附图标记
[0027]现在技术
[0028]源极区域1
[0029]栅极通道2
[0030]栅极区域3
[0031]锡膏4
[0032]金属连通片5
[0033]本实用新型
[0034]集成电路片10
[0035]源极区域11
[0036]栅极区域12
[0037]栅极通道111
[0038]金属连通片20
[0039]沟槽201
[0040]银金属2011
[0041]锡膏30
【具体实施方式】
[0042]下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作具体的描述:
[0043]请参阅图4及图5所示，主要包括有一集成电路片(MOSFET CHIP) 10，在该集成电路片10的表面分设有源极区域(SOURCE PAD) 11与栅极区域(GATE PAD) 12，而该源极区域11上分切有栅极通道(GATE BUS) 111，以导通栅极区域12的电讯流通；
[0044]有一金属连通片(METAL CLIP) 20，一端与集成电路片10的源极区域11相连通，另一端与晶体管引脚(图中未展示)相连通，在该金属连通片20与集成电路片10的源极区域11接合的那面，向内挖设有沟槽201，该沟槽201所被挖设的形状与大小，将会避开集成电路片10的源极区域11上栅极通道111会经过的区域，换言之，该沟槽201的形成没有一定的形状跟大小，但绝对不会有横跨栅极通道111的情况发生，且在该沟槽201内涂布有一层银金属2011 ;
[0045]当要将金属连通片20与集成电路片10的源极区域11接合时，会先在源极区域11上以避开栅极通道111的方式点上锡膏30，由于金属连通片20上沟槽201位置的设置与锡膏30点置的位置是相对应，且锡膏30与银金属2011之间有一种相互吸引的金属湿润性，也就是说，锡膏30会跟着银金属2011走，加上金属连通片20上涂布银金属2011的地方是凹设有沟槽201，因此锡膏30会被银金属2011所吸引并定位于沟槽201内，而不会在金属连通片20压合在集成电路片10的源极区域11时，造成锡膏30的溢出，甚至渗入栅极通道111中，因此能有效避免栅极区域12与源极区域11 一直处于电讯连通的情况，而能有效避免该集成电路片10短路情况的发生；
[0046]再请参阅图3所示，图3则是本实用新型另一实施例方法，其变化在于并不需要在金属连通片20上挖设沟槽201，而是只在金属连通片20上与源极区域11预备点置锡膏30的相对应位置刷上或焊上一层银金属2011，如此同样能达到使锡膏30汇集于金属连通片20上有银金属2011的区域处而不会溢出渗入栅极通道111中，以避免集成电路片10短路情况的发生；
[0047]综上所述，本实用新型所为的预防短路的场效应晶体管(FET)结构，较之现有场效应晶体管的结构，除了能有效避免短路情况发生外，相对能延长该晶体管的使用寿命，同时金属连通片20的设计不仅能使电讯连结状态较佳外，还更能提高整个晶体管的散热性。
[0048]当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种预防短路的场效应晶体管结构，其特征在于，包括有: 一集成电路片，其上分设有源极区域与栅极区域，且在该源极区域上分切有栅极通道，以导通栅极区域的电讯流通； 一金属连通片，一端与集成电路片的源极区域相连通，另一端与晶体管引脚相连通； 多个沟槽，挖设于金属连通片上对应该金属连通片与源极区域接合的面，且于该沟槽的表面设有一层银金属； 锡膏，点置于集成电路片的源极区域欲与金属连通片相贴合的区域内。2.根据权利要求1所述的预防短路的场效应晶体管结构，其特征在于，该沟槽的形状与大小的挖设，避开源极区域上的栅极通道所经过的区域。3.根据权利要求1所述的预防短路的场效应晶体管结构，其特征在于，该沟槽内的银金属，以涂布的方式形成，或以焊设的方式形成。4.一种预防短路的场效应晶体管结构，其特征在于，包括有: 一集成电路片，其上分设有源极区域与栅极区域，且在该源极区域上分切有栅极通道，以导通栅极区域的电讯流通； 一金属连通片，一端与集成电路片的源极区域相连通，另一端与晶体管引脚相连通； 多个银金属，设于该金属连通片与源极区域接合的面； 锡膏，点置于集成电路片的源极区域欲与金属连通片相贴合的区域内。5.根据权利要求4所述的预防短路的场效应晶体管结构，其特征在于，该银金属的形状与大小的形成，避开源极区域上的栅极通道所经过的区域。6.根据权利要求4所述的预防短路的场效应晶体管结构，其特征在于，该银金属的形成，以涂布的方式形成，或以焊设的方式形成。
【专利摘要】本实用新型公开一种预防短路的场效应晶体管结构，尤指一种运用于功率的分离元件，如金属氧化物半导体场效晶体管或绝缘栅双极晶体管(IGBT)等晶体管型态的晶体管结构上，主要包括有一集成电路片(MOSFET？CHIP)及金属连通片(METAL？CLIP)，主要是于金属连通片在与栅极垫片相接合的那面刷上银线条，用来避免黏着导通金属连接片与栅极垫片的锡膏因溢开渗入栅极通道(GATE？BUS)而造成短路现象发生为其主要实用新型要点。
【IPC分类】H01L23/535, H01L29/78
【公开号】CN205069644
【申请号】CN201520377834
【发明人】资重兴
【申请人】杰群电子科技（东莞）有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年6月3日