技术编号:14521091
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请基于35 U.S.C.§119要求2016年11月9日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2016-0148704的优先权,其全部公开内容通过引用合并于此。技术领域本发明构思的示例性实施例涉及半导体器件。更具体地,示例性实施例涉及逻辑器件的晶体管。背景技术在具有核心和输入/输出设备的逻辑器件中,核心晶体管和输入/输出晶体管要求不同的特性。例如,输入/输出晶体管需要比核心晶体管长的栅极长度。当晶体管具有finFET结构时,需要使用附加掩模的附加构图工艺以在核心晶体管和输入/输出晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。