技术编号：14529127
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法。背景技术GOI测试是对MOS器件中栅氧化层的耐压性测试，如果GOI测试失效，则需进行GOI失效分析，从而找出GOI测试失效的原因。传统的GOI失效分析主要流程为：通过热点分析获取待分析样品GOI失效点的光学图片，将此光学图片与待分析样品的电子显微镜图片进行对比，对GOI失效点进行定位，再采用FIB制备TEM样品，进行TEM观察和元素分析获取GOI失效点异常物质的成分。但是，基于热点分析的GOI失效点定位将导致...
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