本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法。
背景技术：
GOI测试是对MOS器件中栅氧化层的耐压性测试，如果GOI测试失效，则需进行GOI失效分析，从而找出GOI测试失效的原因。传统的GOI失效分析主要流程为：通过热点分析获取待分析样品GOI失效点的光学图片，将此光学图片与待分析样品的电子显微镜图片进行对比，对GOI失效点进行定位，再采用FIB制备TEM样品，进行TEM观察和元素分析获取GOI失效点异常物质的成分。但是，基于热点分析的GOI失效点定位将导致GOI失效点的进一步破坏，且定位精度只能达到3-5um，使后期采用FIB制备TEM样品费时。
技术实现要素：
本发明目的是提供一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，解决现有技术中存在的上述问题。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：
一种GOI失效点无损定位方法，包括如下步骤：
步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；
步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；
步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；
步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；
步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。
本发明的有益效果是：如果待分析样品存在GOI失效点，则GOI失效点的异常物质将待分析样品的salicide层与衬底导通，采用电子束照射预处理待分析样品的salicide层时，基于PVC法，salicide层由于与衬底导通处于低电势，在电子束照射下，其逸出的二次电子较多，则其会发亮；将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域，各个区域将不再导通，再次采用电子束照射各个区域时，只有下方存在GOI失效点的区域才能够与衬底导通产生低电势而发亮，从而将GOI失效点所处的位置范围进一步缩小；多次将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域，使GOI失效点所处的位置范围多次缩小，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时结束切割；本发明使GOI失效点的定位精度与切割精度相匹配，实现GOI失效点的高精度定位，使GOI失效分析方法中的TEM样品制作时长缩小，且便于制作高精确度的TEM样品，如3D TEM样品；并且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏，提高GOI失效分析的准确率和成功率。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述去除待分析样品的金属互连层采用机械研磨和/或化学刻蚀的方法。
进一步，所述步骤3的具体实现中，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的等分的区域。
采用上述进一步方案的有益效果是，方便切割，且便于提高GOI失效点的定位效率。
进一步，所述切割采用FIB切割中的EE模式进行。
采用上述进一步方案的有益效果是，提高切割精度，从而提高GOI失效点的定位精度，定位精度可达到2-3um，甚至500nm。
进一步，所述切割的切割线的宽度为30-100nm，深度为50-500nm。
采用上述进一步方案的有益效果是，能够有效保证salicide层的各个区域完全分离，不再导通，并且不会损伤到GOX层和衬底层。
进一步，所述电子束为SEM显微镜所提供的电子束。
采用上述进一步方案的有益效果是，SEM显微镜所提供的电子束对照射物的破坏性不强，不易损伤预处理待分析样品的salicide层，适合长时间观察。
进一步，所述电子束为FIB显微镜所提供的电子束。
采用上述进一步方案的有益效果是，与FIB切割相结合，使预处理待分析样品的salicide层的电子束照射和切割均可在FIB机台上执行，方便操作，提高GOI失效点的定位效率和定位精度。
本发明的另一技术方案如下：
一种GOI失效分析方法，采用上述一种GOI失效点无损定位方法对GOI失效点进行定位。
附图说明
图1为本发明一种GOI失效点无损定位方法的方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1所示，一种GOI失效点无损定位方法，包括如下步骤：
步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；所述去除待分析样品的金属互连层采用机械研磨和/或化学刻蚀的方法。
步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作。
步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域。
所述步骤3的具体实现中，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的等分的区域。
所述切割采用FIB切割中的EE模式进行。
所述切割的切割线的宽度为30-100nm，深度为50-500nm。
步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；
步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。
所述电子束可以采用SEM显微镜所提供的电子束,并通过SEM显微镜观察salicide层是否发亮；也可以采用FIB显微镜所提供的电子束，并通过FIB显微镜观察salicide层是否发亮。
一种GOI失效分析方法，采用上述一种GOI失效点无损定位方法对GOI失效点进行定位。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。