技术编号：14573230
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，具体涉及一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及可用于大量制备其的制备方法。背景技术近年来，随着拓扑绝缘体、拓扑超导体、拓扑狄拉克半金属为代表的新型拓扑材料以其特有的奇异的物理性能受到研究者的广泛关注。同时，这些新型拓扑量子材料特有的物理性能为凝聚态物理的研究提供了良好的基础。其中，拓扑狄拉克半金属砷化镉以其特殊的能带结构和较大的载流子迁移率以及优异的化学稳定性成为凝聚态物理研究的理想材料。狄拉克半金属砷化镉在三维动量空间内具有线性分散的能带结构，并且其导带和价带发...
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