技术编号:14648205
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料技术领域,具体涉及一种高软化点的超支化聚碳硅烷及其制备方法。背景技术聚合物碳化硅前驱体是PIP法制备SiC陶瓷基复合材料的关键原材料,目前技术最成熟和使用最广泛的是Yajima发明的通过聚二甲基硅烷高温裂解重排得到的固态的聚碳硅烷(PCS)。最初,PCS主要用于熔融纺丝制备连续SiC纤维,软化点较高,由其通过PIP工艺制备SiC陶瓷基复合材料时,必须加入较多有机溶剂进行溶解才可使用,这样导致浸渍效率低,而且陶瓷化产物富碳较多;虽然降低软化点可以减少溶剂用量,但也会使其陶瓷产率降低,...
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