技术编号:14681580
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及具有沟槽栅极构造的半导体装置以及其制造方法。背景技术例如专利文献1公开了一种沟槽栅极纵型MOSFET,该沟槽栅极纵型MOSFET包含:外延层,形成有有源单元阵列和栅极极总线区;栅极沟槽,形成于有源单元阵列;栅极氧化膜,形成于栅极沟槽;栅极电极,由埋入到栅极沟槽的多晶硅构成;沟槽,形成于栅极极总线区,与栅极沟槽相连;以及栅极总线,由在栅极总线区中以覆盖外延层的表面的方式埋入到沟槽的多晶硅构成。现有技术文献专利文献专利文献1:特表2006-520091号公报。发明内容用于解决课题的...
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