技术编号：14681964
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种沟槽型联栅晶体管及其制作方法。【背景技术】沟槽型联栅晶体管也简称为UPGAT，是一种新型的功率器件，沟槽型联栅晶体管同时具有MOSFET和BJT的优点，其主要特点为：导通电阻小，动态损耗小，开关速度快，二次击穿耐压高，功率容量和安全工作区大；具有负的温度系数，热稳定性好，抗冲击能力和抗高频辐射能力强。在集电极外加高压的情况下，联栅晶体管的深结栅区与集电区之间的空间电荷区发生横向扩展，将深栅区之间的沟道夹断，对基区起到静电屏蔽的作用，可以抑制基区的...
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