技术编号：14685835
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术衬底上的电路器件(例如，半导体(例如，硅)衬底上的集成电路(IC)晶体管、电阻器、电容器等)中提高的性能和产量通常是在这些器件或包括这些器件的片上系统的设计、制造、和操作期间所考虑的主要因素。例如，具有GaN沟道的氮化镓(GaN)电路器件可以是用于片上系统(SoC)的电压调节器、功率管理集成电路(IC)、射频(RF)功率放大器的部分。这些器件的设计和制造(例如，形成)可以包括GaN沟道金属氧化物半导体(MOS)器件的晶体管或晶体管层(例如，包括在晶体管中或者是晶体管的部分的材料层)。这些...
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