技术编号：14720345
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于集成电路器件和其它应用的金属结构，并且更具体地涉及金属球和半球以及制造方法。背景技术纳米棒或纳米线可以在衬底上自上而下或自下而上地形成。在一种方法中，使用金纳米点作为种子自下而上地形成垂直纳米线。这些种子用作沉积位置，在所述沉积位置处需要化学气相沉积(CVD)工艺来从这些种子生长垂直线。该工艺难以控制并且可能导致不理想的密度和尺寸。该工艺也是昂贵的。在自上而下方法中，SiO2或聚合物纳米球用作衬底上的掩模。需要基于溶液的涂布工艺，该工艺是成本加成的并且趋于是不均匀的。该工艺...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。