技术编号:14828564
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及RAMO4基板、以及使用该RAMO4基板的III族氮化物结晶的制造方法。背景技术作为包含通式RAMO4表示的单晶体(通式中,R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素,A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素,M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4基板之一,已知ScAlMgO4基板。ScAlMgO4基板被用作GaN等氮化物半导体的生长基板等(例如参照专利文献1)。图1是...
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