技术编号:14942007
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种存储器结构及其形成方法。背景技术随着信息技术的发展,存储信息量急剧增加。存储信息量的增加促进了存储器的飞速发展,同时也对存储器的稳定性提出了更高的要求。基本的静态存储器(Static Random Access Memory,SRAM)依赖于六个晶体管,这六个晶体管构成两个交叉耦合的反相器。每个反相器包括:一个上拉晶体管、一个下拉晶体管和一个存取晶体管。为了获得足够的抗干扰能力和读取稳定性,用于形成存储器的晶体管多为鳍式场效应晶体管(Fin Field-...
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