技术编号:14942009
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种闪存器件及其制造方法。背景技术非易失性半导体存储器中,包括电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)以及电可编程只读存储器(EPROM)。EEPROM包括Flash EEPROM(简称闪存);目前,闪存可分为NOR Flash和NAND Flash,NOR闪存是随机存储介质,用于存放数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放较大的数据。NAND器件是闪存中较为普遍使用的一种结构,一般的,NAND器件较硬盘驱动器更好。随着人们持续追求功耗更低、重...
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