技术编号:14957236
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于在基材上生成薄无机膜的方法,特别是原子层沉积法的领域。对于在基材上的薄无机膜的需求随着例如半导体工业中的不断小型化而增加,同时对于该类膜的质量的需求变得更严苛。薄金属膜用于不同目的,例如阻挡层、导电特征或覆盖层。数个生产金属膜的方法为已知的。它们中的一种将成膜化合物由气态沉积到基材上。为了使金属原子在中等温度下变成气态,必须提供挥发性前体,例如通过使金属与合适配体络合。为了将经沉积的金属配合物转化成金属膜,通常需要将经沉积的金属配合物暴露于还原剂。通常使用氢气将经沉积的金属配合物转化成...
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