技术编号:14959626
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请说明书公开的技术涉及一种碳化硅半导体装置,涉及一种例如具有沟槽栅的碳化硅半导体装置。背景技术作为电力开关元件,广泛使用电力金属-膜-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,即,MOSFET)(以下,有时称为功率MOSFET)。其中,为了提高沟道宽度密度,在半导体晶圆的表面形成沟槽而将该沟槽的侧面利用为沟道的沟槽栅型的MOSFET得到实际应用。在沟槽栅型的MOSFET中,通过在沟槽内形成有栅极构造,能够缩小元胞。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。