技术编号:1495967
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本申请涉及用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物。 背景技术 在集成电路(IC)的连续剥离(scaling)中面临的诸多挑战之一是使Cu互连达到可接受的电迁移(EM)可靠性。解决这一挑战的一种方法是在Cu上界面上沉积金属覆盖层。钴钨磷化物(cobalt tungsten phosphide,CoWP)的无电沉积作为Cu金属化的覆盖层看来是最有希望的候选。 CoWP的成功执行不仅依赖于优化的沉积,而且依赖于完全CoWP相容的集成(integration...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。