技术编号:14965605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及MOS器件技术领域,具体涉及一种沟槽功率MOS器件。背景技术沟槽功率MOS 器件是在平面式功率MOS 器件的基础上发展起来的。与平面式功率MOS 器件相比,其具有导通电阻低、饱和压降低、开关速度快、沟道密度高、芯片尺寸小等优点;采用沟槽式结构,消除了平面式功率MOS 器件存在的寄生JFET(结型场效应管)效应。目前深沟槽功率MOS 器件已经发展成为中低压大功率MOS 器件的主流。随着深沟槽大功率MOS 器件工艺技术的日渐成熟,市场竞争日趋激烈,一颗芯片的制造成本和利润都已经是按照多...
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