技术编号:14992576
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及三五族化合物半导体器件的制作工艺技术领域,尤其涉及一种化合物半导体HBT器件的补偿式制作方法。背景技术对于三五族化合物半导体异质结双极晶体管(HBT)中发射极平台Emitter Mesa(EM)和基极台阶BP pedestal(BP)的制程,全球90%的制造厂使用化学腐蚀。但是由于化学腐蚀对于晶向有选择性,所以器件的设计将受到金属联线方向性的局限;并且化学腐蚀,侧向腐蚀过多,不易控制制程的稳定性,进而也影响了器件的电学性能及其稳定性,以及器件的可靠性。尤其,在湿法腐蚀工艺制造BP台阶时...
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