技术编号:15011235
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超级电容器用电极材料制备技术领域,具体涉及一种高导电聚3,4-乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法。背景技术聚3,4-乙撑二氧噻吩由于具有特殊、规整有序的平面化分子结构以及稳定的导电状态,在超级电容器的电极材料方面具有广泛的应用前景。但是,高的相对分子质量使其理论比容量只能达到210 F/g,同时未掺杂的聚3,4-乙撑二氧噻吩的导电率也较低,这些都限制了它在电极材料方面的应用。崔琛琛(崔琛琛, 王茗. “导电聚合物PEDOT的制备及导电性能”. 合肥工业大学学报(自然科学版), 2012...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。