技术编号：15077460
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及一种并行控制实现任意4输入逻辑功能的电路。背景技术目前，基于静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)的可编程器件中，有25％的面积是用作查表器后面的数据选通器。如图1所示，在鳍式场效应晶体(fin field-effect transistor，finfit)工艺下，因为电路设计导致MOS管(例如：P00至P05)的源极和漏极不能共用，在氧化物(oxide，od)(如图1中源极和漏极所在的长方体)与氧化物中间必须...
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