技术编号:15079306
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开属于半导体技术领域,涉及一种纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法。背景技术随着集成电路特征尺寸越来越小,平面CMOS器件遇到了严重挑战,各种新器件结构应运而生,器件栅结构从传统的平面单栅发展到双栅、三栅到完全包裹沟道的围栅结构,栅控能力和控制短沟道效应的能力不断增强,具有准弹道传输特性的纳米线围栅结构的MOSFET由于具有极强的栅控能力和尺寸缩小的能力而受到广泛高度重视,成为5nm及以下技术代强有力的竞争者。目前国内外已有研制成功的纳米线围栅器件的报道,大部分是以绝缘体硅(SOI,S...
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