技术编号:15097572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子封装技术领域,尤其涉及VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。背景技术VDMOS (垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)功率器件能高效地处理大电流,实现高单元集成度和低导通电阻,因而在各种电源模块中得到广泛应用。由于VDMOS功率器件高功率和大电流的特点,对散热的要求较高,一般采用焊锡共晶方式来实现芯片与封装基板的连接, 以尽可能地减小接触电阻和提高散热性能。而芯片焊接层空洞是造成功率半导体芯片因散热不良而失效的主要原因,焊接层空洞可能导致接触电阻过大、散热性能差, 降低器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。