技术编号:1509787
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及清洗除去的基板处理组合物。背景技术在半导体制造用硅晶片的制造工序中,从硅的单晶锭切割晶片并加工成规定的厚度时,为了实现均匀的蚀刻,用氢氧化钠或氢氧化钾等碱进行蚀刻。此时,氢氧化钠或氢氧化钾中的金属杂质会大量地吸附于晶片表面。通常在蚀刻后,通过用稀氢氟酸等酸进行清洗来除去,但是特别是在硼等高浓度分散的低电阻基板中,Cu和Ni易在内部扩散,其中Ni在氢氧化钠或氢氧化钾的使用温度80°C左右会引起扩散,因此采用酸进行的表面清洗无法除去内部扩散的金属杂质...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。