技术编号：15149038
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件，特别是半导体功率器件。背景技术超结（Superjunction，SJ）是n柱/p柱交替排列的耐压结构，它能使n柱与p柱在较高的掺杂浓度下仍可获得较高的击穿电压。当超结应用到绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）中时（即超结IGBT），在关断过程中n柱/p柱结会快速耗尽，使关断速度提高（或关断功耗降低）。然而，在普通超结IGBT中，从p型集电区注入到n柱的空穴很容易被p柱收集并进入p型基区，因而少数载流子体内（特别是...
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