技术编号:15164227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法。背景技术随着信息社会的发展,人们对显示设备的需求得到了增长,因而也推动了液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、以及有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)行业的快速发展。不论是LCD、还是OLED,均包括一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Subs...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。