本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法。
背景技术：
随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长，因而也推动了液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、以及有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)行业的快速发展。不论是LCD、还是OLED，均包括一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)，蚀刻是制造TFT阵列基板过程中的一个重要制程。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺，其中干蚀刻工艺通过激发或解离蚀刻气体分子得到等离子体，利用等离子体做射频(Radio Frequency，RF)轰击对薄膜进行蚀刻的技术。
如图1所示，现有的干蚀刻装置通常包括：上电极板100、与上电极板100相对间隔设置的下电极板200、设于所述下电极板200上的吸附平台300、及与上电极板100、下电极板200相连的电源(未图示)。所述上电极板100与下电极板200之间形成高压电场，驱动等离子对固定在吸附平台300上的晶元或基板做RF轰击，进行干蚀刻。若下电极板200和固定晶元或基板的吸附平台尺寸一样大小，则会导致待蚀刻晶元或基板的边缘上方的等离子体的能量减少，导致对晶元或基板的蚀刻不均匀。为解决上述问题，通常在干蚀刻装置中，下电极板200的尺寸要大于吸附平台300的尺寸。这种情况下，为了抵挡RF轰击下电极板200、及铺在下电极板200上的阳极膜400，防止电流直接穿透至阳极膜400及下电极板200引发的异常放电与停机，图1所示的干蚀刻装置中还设置了包围吸附平台300四周边缘的屏蔽环(Shield Ring)500，该屏蔽环500的材料采用绝缘的氧化铝陶瓷(Ceramic Al2O3)。
如图2所示，所述吸附平台300的四个拐角均被研磨成第一圆角r，所述屏蔽环500由四个形状相同的屏蔽基块拼接构成，该屏蔽环500对应于吸附平台300的第一圆角r的拐角被处理为第二圆角R，存在第一圆角r与第二圆角R搭配性的问题，若二者搭配不当，如R>r时，屏蔽环500与吸附平台300之间将会产生缝隙。结合图2与图1，屏蔽环500与吸附平台300之间由于圆角搭配不当产生的缝隙会导致在大功率RF轰击时等离子体电浆泄露至阳极膜400及下电极板200，造成异常放电和停机问题，这就需要破除干蚀刻所处的真空腔体环境，取出吸附平台300进行更换或重新研磨圆角，不仅费时费力，还增加了生产成本。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种干蚀刻装置，能够减少异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。
本发明的目的还在于提供一种降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，有助于减少干蚀刻装置的异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。
为实现上述目的，本发明首先提供一种干蚀刻装置，包括上电极板、与上电极板相对间隔设置的下电极板、设于所述下电极板上的吸附平台、设在所述下电极板上并包围吸附平台四周边缘的屏蔽环、及设在所述屏蔽环与下电极板之间的阳极膜；
所述屏蔽环包括屏蔽环本体、及多个独立的细部调整件；所述屏蔽环本体顶部趋近吸附平台的部位具有横截面呈“L”形的缺口，所述细部调整件置于所述横截面呈“L”形的缺口上；通过移动细部调整件使其与吸附平台紧密接触后再将细部调整件固定于屏蔽环本体的方式减小屏蔽环与吸附平台之间的缝隙。
所述多个独立的细部调整件中：部分细部调整件呈长条形，用于与吸附平台的直边紧密接触；部分细部调整件呈圆弧形，用于与吸附平台两直边之间的过渡圆角紧密接触。
所述屏蔽环本体包括四个形状相同的屏蔽环本体基块，所述四个形状相同的屏蔽环本体基块相互拼接，每一屏蔽环本体基块包括横部、与横部垂直的纵部、及位于横部与纵部之间的拐角部；所述横部、纵部、及拐角部顶部趋近吸附平台的部位具有横截面呈“L”形的缺口，一长条形细部调整件置于所述横部的缺口上，另一长条形细部调整件置于所述纵部的缺口上，一圆弧形细部调整件置于所述拐角部的缺口上。
所述屏蔽环本体在与缺口相对的背部开有阶梯形通孔，所述细部调整件通过设于阶梯形通孔内的陶瓷垫片、及陶瓷螺丝与屏蔽环本体锁紧。
所述屏蔽环本体、及多个细部调整件的材料为绝缘的氧化铝陶瓷。
本发明还一种降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一吸附平台、及包围吸附平台四周边缘的屏蔽环本体；
步骤2、将所述屏蔽环本体顶部趋近吸附平台的部位进行裁切，去除材料，形成横截面呈“L”形的缺口；
步骤3、提供多个独立的细部调整件，先将多个独立的细部调整件置于所述横截面呈“L”形的缺口上，然后移动细部调整件使其与吸附平台紧密接触，最后将细部调整件固定于屏蔽环本体，减小屏蔽环与吸附平台之间的缝隙。
所述多个独立的细部调整件中：部分细部调整件呈长条形，用于与吸附平台的直边紧密接触；部分细部调整件呈圆弧形，用于与吸附平台两直边之间的过渡圆角紧密接触。
所述屏蔽环本体包括四个形状相同的屏蔽环本体基块，所述四个形状相同的屏蔽环本体基块相互拼接，每一屏蔽环本体基块包括横部、与横部垂直的纵部、及位于横部与纵部之间的拐角部；所述横部、纵部、及拐角部顶部趋近吸附平台的部位具有横截面呈“L”形的缺口，一长条形细部调整件置于所述横部的缺口上，另一长条形细部调整件置于所述纵部的缺口上，一圆弧形细部调整件置于所述拐角部的缺口上。
所述步骤2还包括在所述屏蔽环本体与缺口相对的背部开阶梯形通孔；所述步骤3通过设于阶梯形通孔内的陶瓷垫片、及陶瓷螺丝锁紧细部调整件与屏蔽环本体。
所述屏蔽环本体、及多个细部调整件的材料为绝缘的氧化铝陶瓷。
本发明的有益效果：本发明提供的干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，设置屏蔽环包括屏蔽环本体、及多个独立的细部调整件，在屏蔽环本体顶部趋近吸附平台的部位裁切出横截面呈“L”形的缺口，所述细部调整件置于所述横截面呈“L”形的缺口上，通过移动细部调整件使其与吸附平台紧密接触后再将细部调整件固定于屏蔽环本体的方式减小屏蔽环与吸附平台之间的缝隙，尤其是屏蔽环与吸附平台之间由于圆角搭配不当产生的缝隙，从而能够减少异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的干蚀刻装置的剖面结构示意图；
图2为图1所示现有的干蚀刻装置中吸附平台与屏蔽环的俯视示意图；
图3为本发明的干蚀刻装置的剖面结构示意图；
图4为本发明的干蚀刻装置中吸附平台与屏蔽环的俯视示意图；
图5为本发明的干蚀刻装置中1/4个屏蔽环顶面的平面示意图；
图6为本发明的干蚀刻装置中1/4个屏蔽环背面的平面示意图；
图7为对应于图5中D-D处的剖面示意图；
图8为本发明的降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图3至图7，本发明首先提供一种干蚀刻装置。如图3与图4所示，本发明的干蚀刻装置包括上电极板1、与上电极板1相对间隔设置的下电极板2、设于所述下电极板2上的吸附平台3、设在所述下电极板2上并包围吸附平台3四周边缘的屏蔽环4、及设在所述屏蔽环4与下电极板2之间的阳极膜5。
所述屏蔽环4包括屏蔽环本体41、及多个独立的细部调整件42。所述屏蔽环本体41顶部趋近吸附平台3的部位具有横截面呈“L”形的缺口411，所述细部调整件42置于所述横截面呈“L”形的缺口411上。所述多个独立的细部调整件42能够沿向吸附平台3靠近的方向移动，通过移动细部调整件42使其与吸附平台3紧密接触后再将细部调整件42固定于屏蔽环本体41的方式减小屏蔽环4与吸附平台3之间的缝隙。
所述上电极板1、下电极板2连接电源，二者之间形成高压电场，驱动等离子体对固定在吸附平台3上的晶元或基板(未图示)做RF轰击，进行干蚀刻。为保证对晶元或基板的干蚀刻均匀，所述下电极板2的尺寸大于吸附平台3的尺寸。所述屏蔽环4包围吸附平台3的四周边缘，由于所述屏蔽环4包括屏蔽环本体41、及多个独立的细部调整件42，通过移动细部调整件42使其与吸附平台3紧密接触后再将细部调整件42固定于屏蔽环本体41的方式减小屏蔽环4与吸附平台3之间的缝隙，尤其能够使得细部调整件42与吸附平台3的圆角r之间搭配得到，从而阻断了在大功率RF轰击时等离子体电浆泄露至阳极5及下电极板2的途径，避免现有技术中由于屏蔽环与吸附平台之间的缝隙，尤其是屏蔽环圆角与吸附平台圆角之间搭配不当所形成的间隙而造成的异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。
具体地，结合图4至图7，所述多个独立的细部调整件42中：部分细部调整件42呈长条形，用于与吸附平台3的直边紧密接触；部分细部调整件42呈圆弧形，用于与吸附平台3两直边之间的过渡圆角r紧密接触。
为便于加工，所述屏蔽环本体41包括四个形状相同的屏蔽环本体基块，所述四个形状相同的屏蔽环本体基块相互拼接，每一屏蔽环本体基块包括横部A、与横部A垂直的纵部B、及位于横部A与纵部B之间的拐角部C。所述横部A、纵部B、及拐角部C顶部趋近吸附平台3的部位具有横截面呈“L”形的缺口411，一长条形细部调整件42置于所述横部A的缺口411上，通过移动该长条形细部调整件42能够使其与吸附平台3的横边紧密接触；另一长条形细部调整件42置于所述纵部B的缺口411上，通过移动该长条形细部调整件42能够使其与吸附平台3的纵边紧密接触；一圆弧形细部调整件42置于所述拐角部C的缺口411上，通过移动该圆弧形细部调整件42能够使其与吸附平台3的过渡圆角r紧密接触，必要时还可对该圆弧形细部调整件42进行研磨使其内径更接近吸附平台3的过渡圆角r。
进一步地，所述屏蔽环本体41在与缺口411相对的背部开有阶梯形通孔412，所述细部调整件42的背部具有螺纹孔，当所述细部调整件42已经移动至与吸附平台紧密接触后，通过设于阶梯形通孔412内的陶瓷垫片51、及陶瓷螺丝52将细部调整件42与屏蔽环本体41锁紧，使细部调整件42固定于屏蔽环本体41。
优选的，所述屏蔽环本体41、及多个细部调整件42的材料为绝缘的氧化铝陶瓷。
请参阅图8，结合图3至图7，本发明还提供一种降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一吸附平台3、及包围吸附平台3四周边缘的屏蔽环本体41。
具体地，为便于加工，所述屏蔽环本体41包括四个形状相同的屏蔽环本体基块，所述四个形状相同的屏蔽环本体基块相互拼接，每一屏蔽环本体基块包括横部A、与横部A垂直的纵部B、及位于横部A与纵部B之间的拐角部C。
所述屏蔽环本体41的材料优选为绝缘的氧化铝陶瓷。
步骤2、将所述屏蔽环本体41顶部趋近吸附平台3的部位进行裁切，去除材料，形成横截面呈“L”形的缺口411。
具体地，所述横部A、纵部B、及拐角部C顶部趋近吸附平台3的部位均形成有横截面呈“L”形的缺口411。
进一步地，该步骤2还包括在所述屏蔽环本体41与缺口411相对的背部开阶梯形通孔412。
步骤3、提供多个独立的细部调整件42，先将多个独立的细部调整件42置于所述横截面呈“L”形的缺口411上，然后移动细部调整件42使其与吸附平台3紧密接触，最后将细部调整件42固定于屏蔽环本体41，减小屏蔽环4与吸附平台3之间的缝隙。
具体地，所述多个细部调整件42的材料优选为绝缘的氧化铝陶瓷。
所述细部调整件42的背部具有螺纹孔，该步骤3通过设于阶梯形通孔412内的陶瓷垫片51、及陶瓷螺丝52锁紧细部调整件42与屏蔽环本体41，使细部调整件42固定于屏蔽环本体41。
所述多个独立的细部调整件42中：部分细部调整件42呈长条形，用于与吸附平台3的直边紧密接触；部分细部调整件42呈圆弧形，用于与吸附平台3两直边之间的过渡圆角r紧密接触。进一步地，一长条形细部调整件42置于所述横部A的缺口411上，通过移动该长条形细部调整件42能够使其与吸附平台3的横边紧密接触；另一长条形细部调整件42置于所述纵部B的缺口411上，通过移动该长条形细部调整件42能够使其与吸附平台3的纵边紧密接触；一圆弧形细部调整件42置于所述拐角部C的缺口411上，通过移动该圆弧形细部调整件42能够使其与吸附平台3的过渡圆角r紧密接触，必要时还可对该圆弧形细部调整件42进行研磨使其内径更接近吸附平台3的过渡圆角r。
实际应用本发明的降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法时，如图3与图4所示，能够减小屏蔽环4与吸附平台3之间的缝隙，尤其能够使得细部调整件42与吸附平台3的圆角r之间搭配得到，从而阻断了在大功率RF轰击时等离子体电浆泄露至干蚀刻装置的阳极5及下电极板2的途径，避免现有技术中由于屏蔽环与吸附平台之间的缝隙，尤其是屏蔽环圆角与吸附平台圆角之间搭配不当所形成的间隙而造成的干蚀刻装置异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。
综上所述，本发明的干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，设置屏蔽环包括屏蔽环本体、及多个独立的细部调整件，在屏蔽环本体顶部趋近吸附平台的部位裁切出横截面呈“L”形的缺口，所述细部调整件置于所述横截面呈“L”形的缺口上，通过移动细部调整件使其与吸附平台紧密接触后再将细部调整件固定于屏蔽环本体的方式减小屏蔽环与吸附平台之间的缝隙，尤其是屏蔽环与吸附平台之间由于圆角搭配不当产生的缝隙，从而能够减少异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。