技术编号：15277290
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本案为关于一种扇出型半导体封装结构，尤指一种扇出型晶片级封装(FOWLP)封装结构，及一种制造工艺方法，用以在制作过程中，提升金属柱的稳定性。背景技术根据先前技术的半导体装置制造方法，须使用10至20微米(micron)的粘着层，待半导体封装完成后，可使用激光，将金属柱底部的钝化层予以穿孔。此制造过程中，热分布不均匀会导致完成品的可靠度不佳。根据另一先前技术的半导体装置制造方法，可将金属层直接置放于粘着层上，粘着层则覆盖载体，再将金属柱形成于金属层，且将金属层未被金属柱遮盖的部份予以移除。然而，...
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