技术编号：15289627
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及研磨微粒，尤其涉及一种能够降低划伤目标材料表面的风险的研磨微粒及其制造方法。背景技术随着芯片集成度提高，芯片中线宽不断减小，半导体硅片表面的平坦化质量要求越来越高。为了使得半导体硅片表面变得更加平坦，化学机械研磨法(CMP)等研磨方法被广泛的运用于半导体芯片制造。在化学机械研磨法中，通过其利用化学反应和机械研磨将芯片表面高低起伏的轮廓进行全面平坦化。该技术在铝合金、铜、钨、氧化硅及硅层平坦化中都有所应用。在化学机械研磨法中，研磨剂中研磨粒子的物理/化学特性是影响表面粗糙度和表面缺陷...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。