技术编号:15401298
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域,具体地说是一种NPN型耐压双极晶体管,可用于制作功率器件、数字逻辑电路器件或电力电子器件等。背景技术双极晶体管包括基区、发射区和集电区,当给偏置在放大区的晶体管的基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间会将基区电流放大,这就是晶体管的放大效应。随着脉冲功率技术的发展以及微电子工艺技术的提高,高频功率晶体管器件被广泛应用于通信系统,然而现实条件中,借助各种脉冲功率发生器件产生的各种频率下的高功率微波使得当前的电磁环境逐渐恶化,各种通讯系统的电磁应用环境越来越严苛。半导...
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