技术编号：15451894
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种IGBT器件背面制作方法，属于半导体器件的制造技术领域。背景技术目前，IGBT器件背面制作方法主要有两种方式，一是采用Taico技术制备超薄片，然后做背面注入形成N+buffer层以及P+空穴注入层，二是采用衬片工艺加工，将加工后的衬片与器件正面硅衬底进行键合，然后对正片进行减薄、背面注入，形成N+buffer层和P+空穴注入层（P+ layer层），最后再热剥离正片和衬片，方法一需要用到Taico设备，设备昂贵而且目前很多foundry并不具备这个条件，方法二在热剥离后还要进行背...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。