技术编号：15452016
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体器件领域，并且更具体地涉及一种在接触与源极/漏极区域之间的接触电阻减少的半导体器件和相关方法。背景技术诸如半导体集成电路(IC)之类的半导体器件包括许多半导体器件结构。示例半导体器件结构是包括P沟道和N沟道MOS晶体管二者的互连的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管。在各种器件结构之间的互连由在器件结构之间形成层间连接的金属化的接触实现。正在设计包括CMOS晶体管的半导体器件结构以具有越来越小的特征尺寸(例如栅极结构)。基于这一趋势，随着栅极节距变得更小，将晶体管的源极...
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