技术编号:15452074
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种高深径比孔洞的制备方法及结构。背景技术在半导体器件制造技术中,高深径比微结构(High Aspect Ratio Micro Structures,HARMS)有广泛的应用,特别在电容孔制作的过程。高深径比微结构通常指孔深度与孔直径的比值大于2:1,宽度小于100微米的三维微结构。在高深径比微结构的应用中,通常需要制备硬掩膜来刻蚀高深径比孔洞,硬掩膜可采用硼磷硅玻璃(Boro-Phospho-Silicate-Glass,BPSG)等材料。硼磷硅玻...
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