技术编号：15464206
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法。背景技术纳米柱阵列LED器件是指发光体为纳米级别的柱体阵列组成的LED器件。由于发光体纳米级别的效应，纳米柱阵列LED器件有更高的内量子效率，更高的光萃取率和更高的调制带宽,这使得纳米柱阵列LED器件对比传统的LED器件有明显的优势。纳米柱GaN发光体的制备，主要可以分为直接生长和刻蚀成型两种方向。其中刻蚀成型方法需要制作纳米阵列图形的掩膜，用于GaN纳米柱刻蚀。制作纳米阵列图形的掩膜的常用方法，有电子束曝光、自组装...
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