技术编号:15464326
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及阵列基板技术领域,尤其涉及一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法。背景技术低温多晶硅(Low temperature poly-silicon,简称LTPS),由于其具有高的电子迁移率,可以有效的减小TFT的器件的面积,从而提升像素的开口率。增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗,使得面板的制造成本大幅度降低,目前已成为液晶显示领域炙手可热的技术。但是LTPS工艺复杂,Array侧基板阵列成膜的的层别较多,针对不同膜层的制备需采用不同的光罩,例如源漏极过孔及像素电极的形成均需要采用不同的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。