技术编号：15516438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体气敏传感器领域，更加具体地说，涉及基于硅-氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用。背景技术随着社会经济的发展，我们赖以生存的环境付出了巨大的代价，大量燃料的燃烧、汽车尾气的排放以及工业生产过程产生了大量有毒有害气体，其中NO2的危害不可忽视。NO2造成大气、水体及土壤污染，可以使大气能见度降低，且其是酸雨的成因之一，使水体酸化、富营养化。同时NO2本身毒性可极大地危害人体健康，引起肺水肿等呼吸疾病。因此制备性能优良的NO2气敏传感器、实现对毒性NO2气体的实时有效可靠检...
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