技术编号:15562164
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种具有高稳定性的基于共享传输管的SRAM存储单元电路。背景技术降低电源电压可以明显减小电路的功耗,特别是对静态随机存取存储器(SRAM)这样具有高密度集成的电路。然而,随着电源电压的降低,存储单元受工艺波动影响更为显著,使得存储单元的读写稳定性降低甚至发生错误,这对存储单元的设计有了更高的要求。同时随着工艺尺寸的不断缩减和存储容量的增加,存储器的软错误率变得越来越高;而利用传统的纠错编码技术也只能解决单位比特的软错误率,随着工艺节点进入纳米级以后,多比特位的...
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