技术编号:15566605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电力电子技术领域,具体涉及一种SiC-BJT的单电源驱动电路。背景技术在众多碳化硅(SiC)功率器件中,双极型晶体管(BJT)仍然是一种具有发展前景的开关器件。相较于硅基的双极型晶体管,SiC-BJT主要的区别在于其可以具有更大的电流增益,同时SiC-BJT在关断过程中没有存储时间影响以及不存在反向饱和电流的问题。相比于SiC JFET和MOSFET器件,SiC-BJT没有这些器件的栅驱动问题。而且,SiC-BJT也不用考虑栅氧化层的可靠性和沟道迁移率的问题。对于SiC-BJT而言,需...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。