技术编号:15576086
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。背景技术以往,已知有绝缘栅双极晶型体管(IGBT)等半导体装置(例如,参照专利文献1-3)。专利文献1:日本特开2007-311627号公报专利文献2:日本特表2014-61075号公报专利文献3:日本特开2015-138884号公报发明内容技术问题在半导体装置中,优选降低导通损耗。技术方案在本发明的第一方式中,提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板,所述半导体基板具有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备第一导电型的发射区,所述第一导电型的...
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