技术编号:15591703
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及降低或者消除Ⅲ-氮化物结构中的纳米管缺陷。背景技术包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)和边发射激光器的半导体发光器件处于当前可用的最高效的光源之中。能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中的当前感兴趣的材料系统包括Ⅲ-Ⅴ族半导体,尤其是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金,其也被称为Ⅲ-氮化物材料。典型地,Ⅲ-氮化物发光器件通过借由金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或者其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、Ⅲ-氮化物或...
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