技术编号:15644477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种功率半导体器件。背景技术垂直导电双扩散MOS结构(VDMOS)器件功率集成电路及功率集成系统的核心元器件之一。VDMOS的栅极和源极在衬底的上表面,而漏极位于衬底的下表面。源极和漏极在衬底的相对的平面,当电流从漏极流向源极时,电流在硅片内部垂直流动,因此可以充分的应用硅片的面积,来提高通过电流的能力。功率VDMOS器件兼有双极晶体管和MOS晶体管的优点,开关速度快、输入阻抗高、驱动功耗低,具有负的温度系数,无二次击穿,在航空、航天、核能等领域有广泛应用。但是...
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