技术编号:15648601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种以石墨烯为模板熔盐法合成二维SiC超薄纳米结构及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。背景技术自2004年由英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·盖姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫通过微机械剥离法从高定向热解石墨原料中成功剥离出石墨烯以来,其优异的光学、电学、力学特性吸引了大量的科学家对它在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面的应用进行了大量的探索,被认为是一种未来革命性的材料。但是本征石墨烯零带隙特性严重限制了它在电子学和光电子学领域的应用,比如基于石墨烯的逻辑电路和发光二极管。尽...
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