技术编号:15657756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种IGBT器件。背景技术绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),是由BJT(双极型三极管)和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,绝缘栅型场效应管也称金属氧化物半导体三极管(Metal Oxide SemiconductorFET,简写为MOSFET),其兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动...
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